Role of Underlayer for Efficient Core-Shell InGaN QWs Grown on

GaN InGaN MOVPE nanowires nitride semiconductors quantum wells

Journal

ACS applied materials & interfaces
ISSN: 1944-8252
Titre abrégé: ACS Appl Mater Interfaces
Pays: United States
ID NLM: 101504991

Informations de publication

Date de publication:
22 Apr 2020
Historique:
pubmed: 27 3 2020
medline: 27 3 2020
entrez: 27 3 2020
Statut: ppublish

Résumé

Different types of buffer layers such as InGaN underlayer (UL) and InGaN/GaN superlattices are now well-known to significantly improve the efficiency of

Identifiants

DOI: 10.1021/acsami.9b19314 PMID: 32208628
pubmed: 32208628
doi: 10.1021/acsami.9b19314
doi:

Types de publication

Journal Article

Langues

eng

Sous-ensembles de citation

IM

Pagination

19092-19101

Auteurs

Akanksha Kapoor (A)

Université Grenoble Alpes, CEA, IRIG, PHELIQS, NPSC, Grenoble 38000, France.
ORCID: 0000-0001-8182-7250

Sylvain Finot (S)

Université Grenoble Alpes, CNRS, Institut Néel, Grenoble 38000, France.

Vincent Grenier (V)

Université Grenoble Alpes, CEA, IRIG, PHELIQS, NPSC, Grenoble 38000, France.

Eric Robin (E)

Université Grenoble Alpes, CEA, IRIG, MEM, LEMMA, Grenoble 38000, France.

Catherine Bougerol (C)

Université Grenoble Alpes, CNRS, Institut Néel, Grenoble 38000, France.

Joel Bleuse (J)

Université Grenoble Alpes, CEA, IRIG, PHELIQS, NPSC, Grenoble 38000, France.

Gwénolé Jacopin (G)

Université Grenoble Alpes, CNRS, Institut Néel, Grenoble 38000, France.

Joël Eymery (J)

Université Grenoble Alpes, CEA, IRIG, MEM, NRS, Grenoble 38000, France.
ORCID: 0000-0002-4216-1166

Christophe Durand (C)

Université Grenoble Alpes, CEA, IRIG, PHELIQS, NPSC, Grenoble 38000, France.
ORCID: 0000-0002-5012-8411

Classifications MeSH