Realization of Epitaxial Thin Films of the Topological Crystalline Insulator Sr
angle-resolved photoemission spectroscopy
molecular beam epitaxy
topological crystalline insulators
Journal
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
ISSN: 1521-4095
Titre abrégé: Adv Mater
Pays: Germany
ID NLM: 9885358
Informations de publication
Date de publication:
Aug 2020
Aug 2020
Historique:
received:
04
02
2020
revised:
15
05
2020
pubmed:
16
7
2020
medline:
16
7
2020
entrez:
16
7
2020
Statut:
ppublish
Résumé
Topological materials are derived from the interplay between symmetry and topology. Advances in topological band theories have led to the prediction that the antiperovskite oxide Sr
Identifiants
pubmed: 32666563
doi: 10.1002/adma.202000809
doi:
Types de publication
Journal Article
Langues
eng
Sous-ensembles de citation
IM
Pagination
e2000809Subventions
Organisme : National Science Foundation
ID : DMR-1629270
Organisme : National Science Foundation
ID : DMR-1539918
Organisme : National Science Foundation
ID : DMR-1719875
Organisme : National Science Foundation
ID : ECCS-1542081
Organisme : National Science Foundation
ID : ACI-1548562
Organisme : AFOSR
ID : FA9550-15-1-0334
Organisme : Cornell Center for Materials Research
Organisme : CCMR
Organisme : Department of Energy Office of Science
ID : DE-AC02-05CH11231
Informations de copyright
© 2020 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
Références
Z. Song, T. Zhang, Z. Fang, C. Fang, Nat. Commun. 2018, 9, 3530.
a) M. Z. Hasan, C. L. Kane, Rev. Mod. Phys. 2010, 82, 3045;
b) J. E. Moore, Nature 2010, 464, 194.
a) X.-L. Qi, S.-C. Zhang, Rev. Mod. Phys. 2011, 83, 1057;
b) A. P. Schnyder, S. Ryu, A. Furusaki, A. W. W. Ludwig, Phys. Rev. B 2008, 78, 195125;
c) X.-L. Qi, T. L. Hughes, S. Raghu, S.-C. Zhang, Phys. Rev. Lett. 2009, 102, 187001.
L. Fu, Phys. Rev. Lett. 2011, 106, 106802.
a) Y. Okada, M. Serbyn, H. Lin, D. Walkup, W. Zhou, C. Dhital, M. Neupane, S. Xu, Y. J. Wang, R. Sankar, F. Chou, A. Bansil, M. Z. Hasan, S. D. Wilson, L. Fu, V. Madhavan, Science 2013, 341, 1496;
b) M. Serbyn, L. Fu, Phys. Rev. B 2014, 90, 035402.
E. Tang, L. Fu, Nat. Phys. 2014, 10, 964.
M. Kargarian, G. A. Fiete, Phys. Rev. Lett. 2013, 110, 156403.
H. Weng, J. Zhao, Z. Wang, Z. Fang, X. Dai, Phys. Rev. Lett. 2014, 112, 016403.
T. H. Hsieh, J. Liu, L. Fu, Phys. Rev. B 2014, 90, 081112.
Y. Tanaka, Z. Ren, T. Sato, K. Nakayama, S. Souma, T. Takahashi, K. Segawa, Y. Ando, Nat. Phys. 2012, 8, 800.
P. Dziawa, B. J. Kowalski, K. Dybko, R. Buczko, A. Szczerbakow, M. Szot, E. Łusakowska, T. Balasubramanian, B. M. Wojek, M. H. Berntsen, O. Tjernberg, T. Story, Nat. Mater. 2012, 11, 1023.
S.-Y. Xu, C. Liu, N. Alidoust, M. Neupane, D. Qian, I. Belopolski, J. D. Denlinger, Y. J. Wang, H. Lin, L. A. Wray, G. Landolt, B. Slomski, J. H. Dil, A. Marcinkova, E. Morosan, Q. Gibson, R. Sankar, F. C. Chou, R. J. Cava, A. Bansil, M. Z. Hasan, Nat. Commun. 2012, 3, 1192.
Y. Obata, R. Yukawa, K. Horiba, H. Kumigashira, Y. Toda, S. Matsuishi, H. Hosono, Phys. Rev. B 2017, 96, 155109.
a) Y. Ando, L. Fu, Annu. Rev. Condens. Matter Phys. 2015, 6, 361;
b) X. Qian, L. Fu, J. Li, Nano Res. 2015, 8, 967.
a) H. Guo, C.-H. Yan, J.-W. Liu, Z.-Y. Wang, R. Wu, Z.-D. Zhang, L.-L. Wang, K. He, X.-C. Ma, S.-H. Ji, W.-H. Duan, X. Chen, Q.-K. Xue, APL Mater. 2014, 2, 056106;
b) W. Jin, S. Vishwanath, J. Liu, L. Kong, R. Lou, Z. Dai, J. T. Sadowski, X. Liu, H.-H. Lien, A. Chaney, Y. Han, M. Cao, J. Ma, T. Qian, S. Wang, M. Dobrowolska, J. Furdyna, D. A. Muller, K. Pohl, H. Ding, J. I. Dadap, H. G. Xing, R. M. Osgood, Phys. Rev. X 2017, 7, 041020.
a) W. Si, C. Zhang, L. Wu, T. Ozaki, G. Gu, Q. Li, Appl. Phys. Lett. 2015, 107, 092601;
b) R. Klett, J. Schönle, A. Becker, D. Dyck, K. Borisov, K. Rott, D. Ramermann, B. Büker, J. Haskenhoff, J. Krieft, T. Hübner, O. Reimer, C. Shekhar, J.-M. Schmalhorst, A. Hütten, C. Felser, W. Wernsdorfer, G. Reiss, Nano Lett. 2018, 18, 1264;
c) F. Wang, H. Zhang, J. Jiang, Y.-F. Zhao, J. Yu, W. Liu, D. Li, M. H. W. Chan, J. Sun, Z. Zhang, C.-Z. Chang, Phys. Rev. B 2018, 97, 115414;
d) Y. Gong, K. Zhu, Z. Li, Y. Zang, X. Feng, D. Zhang, C. Song, L. Wang, W. Li, X. Chen, X.-C. Ma, Q.-K. Xue, Y. Xu, K. He, Nano Res. 2018, 11, 6045.
a) N. Berchenko, R. Vitchev, M. Trzyna, R. Wojnarowska-Nowak, A. Szczerbakow, A. Badyla, J. Cebulski, T. Story, Appl. Surf. Sci. 2018, 452, 134;
b) Q. Li, Q. Zhou, L. Shi, Q. Chen, J. Wang, J. Mater. Chem. A 2019, 7, 4291.
M. Uchida, M. Kawasaki, J. Phys. D: Appl. Phys. 2018, 51, 143001.
J. Nuss, C. Mühle, K. Hayama, V. Abdolazimi, H. Takagi, Acta Crystallogr., Sect. B: Struct. Sci., Cryst. Eng. Mater. 2015, 71, 300.
D. J. Singh, Q. Xu, K. P. Ong, Appl. Phys. Lett. 2014, 104, 011910.
D. Samal, H. Nakamura, H. Takagi, APL Mater. 2016, 4, 076101.
M. Oudah, A. Ikeda, J. N. Hausmann, S. Yonezawa, T. Fukumoto, S. Kobayashi, M. Sato, Y. Maeno, Nat. Commun. 2016, 7, 13617.
J. N. Hausmann, M. Oudah, A. Ikeda, S. Yonezawa, Y. Maeno, Supercond. Sci. Technol. 2018, 31, 055012.
M. Oudah, J. N. Hausmann, S. Kitao, A. Ikeda, S. Yonezawa, M. Seto, Y. Maeno, Sci. Rep. 2019, 9, 1831.
a) C. D. Theis, J. Yeh, D. G. Schlom, M. E. Hawley, G. W. Brown, Thin Solid Films 1998, 325, 107;
b) M. Brahlek, A. S. Gupta, J. Lapano, J. Roth, H.-T. Zhang, L. Zhang, R. Haislmaier, R. Engel-Herbert, Adv. Funct. Mater. 2018, 28, 1702772;
c) H. Freller, K. G. Günther, Thin Solid Films 1982, 88, 291.
a) H. P. Nair, Y. Liu, J. P. Ruf, N. J. Schreiber, S.-L. Shang, D. J. Baek, B. H. Goodge, L. F. Kourkoutis, Z.-K. Liu, K. M. Shen, D. G. Schlom, APL Mater. 2018, 6, 046101;
b) H. P. Nair, J. P. Ruf, N. J. Schreiber, L. Miao, M. L. Grandon, D. J. Baek, B. H. Goodge, J. P. C. Ruff, L. F. Kourkoutis, K. M. Shen, D. G. Schlom, APL Mater. 2018, 6, 101108.
H. Paik, Z. Chen, E. Lochocki, A. Seidner H, A. Verma, N. Tanen, J. Park, M. Uchida, S. Shang, B.-C. Zhou, M. Brützam, R. Uecker, Z.-K. Liu, D. Jena, K. M. Shen, D. A. Muller, D. G. Schlom, APL Mater. 2017, 5, 116107.
S. Raghavan, T. Schumann, H. Kim, J. Y. Zhang, T. A. Cain, S. Stemmer, APL Mater. 2016, 4, 016106.
C.-K. Chiu, Y. H. Chan, X. Li, Y. Nohara, A. P. Schnyder, Phys. Rev. B 2017, 95, 035151.