Pressure-Dependent Behavior of Defect-Modulated Band Structure in Boron Arsenide.
band structure
boron arsenide, high pressure
impurities
photoluminescence
Journal
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
ISSN: 1521-4095
Titre abrégé: Adv Mater
Pays: Germany
ID NLM: 9885358
Informations de publication
Date de publication:
Nov 2020
Nov 2020
Historique:
received:
20
03
2020
revised:
02
09
2020
pubmed:
6
10
2020
medline:
6
10
2020
entrez:
5
10
2020
Statut:
ppublish
Résumé
The recent observation of unusually high thermal conductivity exceeding 1000 W m
Identifiants
pubmed: 33015896
doi: 10.1002/adma.202001942
doi:
Types de publication
Journal Article
Langues
eng
Sous-ensembles de citation
IM
Pagination
e2001942Subventions
Organisme : National Science Foundation
ID : EEC-1160494
Organisme : National Science Foundation
ID : CBET-1351881
Organisme : National Science Foundation
ID : CBET-1707080
Organisme : Center for Dynamics and Control of Materials
ID : DMR-1720595
Organisme : Office of Naval Research
ID : N00014-16-1-2436
Informations de copyright
© 2020 Wiley-VCH GmbH.
Références
J. Kim, D. A. Evans, D. P. Sellan, O. M. Williams, E. Ou, A. H. Cowley, L. Shi, Appl. Phys. Lett. 2016, 108, 201905.
R. Balmer, J. Brandon, S. Clewes, H. Dhillon, J. Dodson, I. Friel, P. Inglis, T. Madgwick, M. Markham, T. Mollart, J. Phys.: Condens. Matter 2009, 21, 364221.
J. Pomeroy, M. Bernardoni, A. Sarua, A. Manoi, D. Dumka, D. Fanning, M. Kuball, presented at 2013 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS), Monterey, CA, USA 2013.
K. D. Chabak, J. K. Gillespie, V. Miller, A. Crespo, J. Roussos, M. Trejo, D. E. Walker, G. D. Via, G. H. Jessen, J. Wasserbauer, IEEE Electr. Device Lett. 2009, 31, 99.
L. Lindsay, D. Broido, T. Reinecke, Phys. Rev. Lett. 2013, 111, 025901.
J. S. Kang, M. Li, H. Wu, H. Nguyen, Y. Hu, Science 2018, 361, 575.
F. Tian, B. Song, X. Chen, N. K. Ravichandran, Y. Lv, K. Chen, S. Sullivan, J. Kim, Y. Zhou, T.-H. Liu, Science 2018, 361, 582.
S. Li, Q. Zheng, Y. Lv, X. Liu, X. Wang, P. Y. Huang, D. G. Cahill, B. Lv, Science 2018,361, 579.
T.-H. Liu, B. Song, L. Meroueh, Z. Ding, Q. Song, J. Zhou, M. Li, G. Chen, Phys. Rev. B 2018, 98, 081203.
K. Bushick, K. Mengle, N. Sanders, E. Kioupakis, Appl. Phys. Lett. 2019, 114, 022101.
B. Song, K. Chen, K. Bushick, K. A. Mengle, F. Tian, G. A. G. U. Gamage, Z. Ren, E. Kioupakis, G. Chen, Appl. Phys. Lett. 2020, 116, 141903.
J. S. Kang, M. Li, H. Wu, H. Nguyen, Y. Hu, Appl. Phys. Lett. 2019, 115, 122103.
J. L. Lyons, J. B. Varley, E. R. Glaser, J. A. Freitas Jr, J. C. Culbertson, F. Tian, G. A. Gamage, H. Sun, H. Ziyaee, Z. Ren, Appl. Phys. Lett. 2018, 113, 251902.
J. Xing, E. R. Glaser, B. Song, J. C. Culbertson, J. A. Freitas Jr, R. A. Duncan, K. A. Nelson, G. Chen, N. Ni, Appl. Phys. Lett. 2018, 112, 241903.
J. Zou, D. Kotchetkov, A. Balandin, D. Florescu, F. H. Pollak, J. Appl. Phys. 2002, 92, 2534.
M. Somayazulu, M. Ahart, A. K. Mishra, Z. M. Geballe, M. Baldini, Y. Meng, V. V. Struzhkin, R. J. Hemley, Phys. Rev. Lett. 2019, 122, 027001.
A. P. Nayak, S. Bhattacharyya, J. Zhu, J. Liu, X. Wu, T. Pandey, C. Jin, A. K. Singh, D. Akinwande, J.-F. Lin, Nat. Commun. 2014, 5,3731.
A. Pawbake, C. Bellin, L. Paulatto, K. Béneut, J. Biscaras, C. Narayana, D. J. Late, A. Shukla, Phys. Rev. Lett. 2019, 122, 145701.
X. Meng, T. Pandey, J. Jeong, S. Fu, J. Yang, K. Chen, A. Singh, F. He, X. Xu, J. Zhou, W.-P. Hsieh, A. K. Singh, J.-F. Lin, Y. Wang, Phys. Rev. Lett. 2019, 122, 155901.
V. Hadjiev, M. Iliev, B. Lv, Z. Ren, C. Chu, Phys. Rev. B 2014, 89, 024308.
H. Werheit, V. Filipov, K. Shirai, H. Dekura, N. Shitsevalova, U. Schwarz, M. Armbrüster, J. Phys.: Condens. Matter 2011, 23, 065403.
N. K. Ravichandran, D. Broido, Nat. Commun. 2019, 10, 827.
M. Sarwan, P. Bhardwaj, S. Singh, Chem. Phys. 2013, 426, 1.
L. Bing, L. Rong-Feng, Y. Yong, Y. Xiang-Dong, Chin. Phys. B 2010, 19, 076201.
M. Talati, P. K. Jha, Int. J. Mod. Phys. B 2010, 24, 1235.
A. Boudjemline, M. M. Islam, L. Louail, B. Diawara, Physica B 2011, 406, 4272.
R. M. Wentzcovitch, M. L. Cohen, P. K. Lam, Phys. Rev. B 1987, 36, 6058.
L. Wang, F. Tian, X. Liang, Y. Fu, X. Mu, J. Sun, X.-F. Zhou, K. Luo, Y. Zhang, Z. Zhao, Phys. Rev. B 2019, 99, 174104.
I. H. Nwigboji, Y. Malozovsky, L. Franklin, D. Bagayoko, J. Appl. Phys. 2016, 120, 145701.
L. L. Stevens, E. B. Orler, D. M. Dattelbaum, M. Ahart, R. J. Hemley, J. Chem. Phys. 2007, 127, 104906.
C. Freysoldt, B. Grabowski, T. Hickel, J. Neugebauer, G. Kresse, A. Janotti, C. G. Van de Walle, Rev. Mod. Phys. 2014, 86, 253.
P. Bogusławski, J. Bernholc, Phys. Rev. B 1997, 56, 9496.
A. Alkauskas, P. Broqvist, A. Pasquarello, Phys. Rev. Lett. 2008, 101, 046405.
A. Singh, A. K. Singh, Phys. Rev. B 2019, 99, 121201.
Y. Frodason, K. Johansen, T. Bjørheim, B. Svensson, A. Alkauskas, Phys. Rev. B 2017, 95, 094105.
Y. Ge, W. Wan, X. Guo, Y. Liu, Opt. Express 2020, 28, 238.
Q. Zheng, C. A. Polanco, M.-H. Du, L. R. Lindsay, M. Chi, J. Yan, B. C. Sales, Phys. Rev. Lett. 2018, 121, 105901.
S. Chae, K. Mengle, J. T. Heron, E. Kioupakis, Appl. Phys. Lett. 2018, 113, 212101.
A. Aydinli, N. Gasanly, I. Yilmaz, A. Serpengüzel, Semicond. Sci. Technol. 1999, 14, 599.
N. Gasanly, A. Serpengüzel, A. Aydinli, O. Gürlü, I. Yilmaz, J. Appl. Phys. 1999, 85, 3198.
S. Wang, S. F. Swingle, H. Ye, F.-R. F. Fan, A. H. Cowley, A. J. Bard, J. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 11056.
R. Dingle, M. Ilegems, Solid State Commun. 1971, 9, 175.
A. Liu, H. T. Nguyen, D. Macdonald, IEEE J. Photovoltaics 2017, 7, 581.
D. Toginho Filho, I. Dias, J. Duarte, E. Laureto, J. C. Harmand, Braz. J. Phys. 2005, 35, 999.
M. Tajima, T. Iwai, H. Toyota, S. Binetti, D. Macdonald, J. Appl. Phys. 2011, 110, 043506.
A. K. Viswanath, J. I. Lee, S. Yu, D. Kim, Y. Choi, C.-h. Hong, J. Appl. Phys. 1998, 84, 3848.
A. P. Nayak, T. Pandey, D. Voiry, J. Liu, S. T. Moran, A. Sharma, C. Tan, C. Chen, L.-J. Li, M. U. Chhowalla, Nano Lett. 2015, 15, 346.
J. Barzowska, T. Lesniewski, S. Mahlik, H. J. Seo, M. Grinberg, Opt. Mater. 2018, 84, 99.
M. Runowski, P. Woźny, N. Stopikowska, Q. Guo, S. Lis, ACS Appl. Mater. Interfaces 2019, 11, 4131.
D. Donetsky, S. P. Svensson, L. E. Vorobjev, G. Belenky, Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 212104.
V. Shchennikov, S. Ovsyannikov, Solid State Commun. 2002, 121, 323.
S. Ku, J. Electrochem. Soc. 1966, 113, 813.
T. Chu, A. Hyslop, J. Electrochem. Soc. 1974, 121, 412.
W. G. Vandenberghe, M. V. Fischetti, Appl. Phys. Lett. 2015, 106, 013505.
R. Mair, R. Prepost, E. Garwin, T. Maruyama, Phys. Lett. A 1998, 239, 277.
G. Callsen, J. S. Reparaz, M. R. Wagner, R. Kirste, C. Nenstiel, A. Hoffmann, M. R. Phillips, Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 061906.
M. Raeisi, S. Ahmadi, A. Rajabpour, Nanoscale 2019, 11, 21799.
M. R. Brems, M. Willatzen, New J. Phys. 2019, 21, 093030.
H. Mao, J.-A. Xu, P. Bell, J. Geophys. Res.: Solid Earth 1986, 91, 4673.
A. Dewaele, M. Torrent, P. Loubeyre, M. Mezouar, Phys. Rev. B 2008, 78, 104102.