Oxide Scale Sublimation Chemical Vapor Deposition for Controllable Growth of Monolayer MoS

Dragontrail MoS 2 chemical vapor deposition oxide scale sublimation transition metal dichalcogenides

Journal

Small methods
ISSN: 2366-9608
Titre abrégé: Small Methods
Pays: Germany
ID NLM: 101724536

Informations de publication

Date de publication:
Feb 2022
Historique:
revised: 29 11 2021
received: 09 09 2021
pubmed: 25 12 2021
medline: 25 12 2021
entrez: 24 12 2021
Statut: ppublish

Résumé

A newly developed oxide scale sublimation chemical vapor deposition (OSSCVD) technique for 2D MoS

Identifiants

pubmed: 34951525
doi: 10.1002/smtd.202101107
doi:

Types de publication

Journal Article

Langues

eng

Sous-ensembles de citation

IM

Pagination

e2101107

Subventions

Organisme : Innovative Science and Technology Initiative for Security
ID : JPJ004596

Informations de copyright

© 2021 Wiley-VCH GmbH.

Références

B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, A. Kis, Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 147.
X. Zhang, J. Grajal, J. L. Vazquez-Roy, U. Radhakrishna, X. Wang, W. Chern, L. Zhou, Y. Lin, P.-C. Shen, X. Ji, X. Ling, A. Zubair, Y. Zhang, H. Wang, M. Dubey, J. Kong, M. Dresselhaus, T. Palacios, Nature 2019, 566, 368.
J. Klein, M. Lorke, M. Florian, F. Sigger, L. Sigl, S. Rey, J. Wierzbowski, J. Cerne, K. Müller, E. Mitterreiter, P. Zimmermann, T. Taniguchi, K. Watanabe, U. Wurstbauer, M. Kaniber, M. Knap, R. Schmidt, J. J. Finley, A. W. Holleitner, Nat. Commun. 2019, 10, 2755.
R. Kumar, N. Goel, M. Kumar, ACS Sens. 2017, 2, 1744.
Y.-H. Lee, X.-Q. Zhang, W. Zhang, M.-T. Chang, C.-T. Lin, K.-D. Chang, Y.-C. Yu, J. T.-W. Wang, C.-S. Chang, L.-J. Li, T.-W. Lin, Adv. Mater. 2012, 24, 2320.
K. Kang, S. Xie, L. Huang, Y. Han, P. Y. Huang, K. F. Mak, C.-J. Kim, D. Muller, J. Park, Nature 2015, 520, 656.
H. Yu, M. Liao, W. Zhao, G. Liu, X. J. Zhou, Z. Wei, X. Xu, K. Liu, Z. Hu, K. Deng, S. Zhou, J.-A. Shi, L. Gu, C. Shen, T. Zhang, L. Du, L. Xie, J. Zhu, W. Chen, R. Yang, D. Shi, G. Zhang, ACS Nano 2017, 11, 12001.
D. Pareek, M. A. Gonzalez, J. Zohrabian, M. H. Sayed, V. Steenhoff, C. Lattyak, M. Vehse, C. Agert, J. Parisi, S. Schäfer, L. Gütay, RSC Adv. 2018, 9, 107.
H. M. Manasevit, Appl. Phys. Lett. 1968, 12, 156.
H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett. 1986, 48, 353.
S. M. Eichfeld, L. Hossain, Y.-C. Lin, A. F. Piasecki, B. Kupp, A. G. Birdwell, R. A. Burke, N. Lu, X. Peng, J. Li, A. Azcatl, S. McDonnell, R. M. Wallace, M. J. Kim, T. S. Mayer, J. M. Redwing, J. A. Robinson, ACS Nano 2015, 9, 2080.
X. Zhang, Z. Y. Al Balushi, F. Zhang, T. H. Choudhury, S. M. Eichfeld, N. Alem, T. N. Jackson, J. A. Robinson, J. M. Redwing, J. Electron. Mater. 2016, 45, 6273.
T. H. Choudhury, H. Simchi, R. Boichot, M. Chubarov, S. E. Mohney, J. M. Redwing, Cryst. Growth Des. 2018, 18, 4357.
Q. Wang, N. Li, J. Tang, J. Zhu, Q. Zhang, Q. Jia, Y. Lu, Z. Wei, H. Yu, Y. Zhao, Y. Guo, L. Gu, G. Sun, W. Yang, R. Yang, D. Shi, G. Zhang, Nano Lett. 2020, 20, 7193.
P. Yang, S. Zhang, S. Pan, B. Tang, Y. Liang, X. Zhao, Z. Zhang, J. Shi, Y. Huan, Y. Shi, S. J. Pennycook, Z. Ren, G. Zhang, Q. Chen, X. Zou, Z. Liu, Y. Zhang, ACS Nano 2020, 14, 5036.
J. Chen, W. Tang, B. Tian, B. Liu, X. Zhao, Y. Liu, T. Ren, W. Liu, D. Geng, H. Y. Jeong, H. S. Shin, W. Zhou, K. P. Loh, Adv. Sci. 2016, 3, 1500033.
A. Aljarb, J.-H. Fu, C.-C. Hsu, C.-P. Chuu, Y. Wan, M. Hakami, D. R. Naphade, E. Yengel, C.-J. Lee, S. Brems, T.-A. Chen, M.-Y. Li, S.-H. Bae, W.-T. Hsu, Z. Cao, R. Albaridy, S. Lopatin, W.-H. Chang, T. D. Anthopoulos, J. Kim, L.-J. Li, V. Tung, Nat. Mater. 2020, 19, 1300.
D. Ruzmetov, K. Zhang, G. Stan, B. Kalanyan, G. R. Bhimanapati, S. M. Eichfeld, R. A. Burke, P. B. Shah, T. P. O'Regan, F. J. Crowne, A. G. Birdwell, J. A. Robinson, A. V. Davydov, T. G. Ivanov, ACS Nano 2016, 10, 3580.
P. Yang, X. Zou, Z. Zhang, M. Hong, J. Shi, S. Chen, J. Shu, L. Zhao, S. Jiang, X. Zhou, Y. Huan, C. Xie, P. Gao, Q. Chen, Q. Zhang, Z. Liu, Y. Zhang, Nat. Commun. 2018, 9, 979.
J. Chen, X. Zhao, S. J. R. Tan, H. Xu, B. Wu, B. Liu, D. Fu, W. Fu, D. Geng, Y. Liu, W. Liu, W. Tang, L. Li, W. Zhou, T. C. Sum, K. P. Loh, J. Am. Chem. Soc. 2017, 139, 1073.
M. H. Alam, S. Chowdhury, A. Roy, M. H. Braga, S. K. Banerjee, D. Akinwande, Phys. Rev. Mater. 2021, 5, 054003.
M. Simnad, A. Spilners, JOM 1955, 7, 1011.
E. A. Gulbransen, K. F. Andrew, F. A. Brassart, J. Electrochem. Soc. 1963, 110, 952.
R. K. Sharma, G. B. Reddy, AIP Adv. 2013, 3, 092112.
M. Bockowski, M. Iwinska, M. Amilusik, M. Fijalkowski, B. Lucznik, T. Sochacki, Semicond. Sci. Technol. 2016, 31, 093002.
H. Li, Q. Zhang, C. C. R. Yap, B. K. Tay, T. H. T. Edwin, A. Olivier, D. Baillargeat, Adv. Funct. Mater. 2012, 22, 1385.
K. Gołasa, M. Grzeszczyk, P. Leszczyński, C. Faugeras, A. a. L. Nicolet, A. Wysmołek, M. Potemski, A. Babiński, Appl. Phys. Lett. 2014, 104, 092106.
S. Mignuzzi, A. J. Pollard, N. Bonini, B. Brennan, I. S. Gilmore, M. A. Pimenta, D. Richards, D. Roy, Phys. Rev. B 2015, 91, 195411.
A. Molina-Sánchez, L. Wirtz, Phys. Rev. B 2011, 84, 155413.
P. A. Spevack, N. S. McIntyre, J. Phys. Chem. 1992, 96, 9029.
K. F. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan, T. F. Heinz, Phys. Rev. Lett. 2010, 105, 136805.
G. Eda, H. Yamaguchi, D. Voiry, T. Fujita, M. Chen, M. Chhowalla, Nano Lett. 2011, 11, 5111.
R. P. Burns, G. DeMaria, J. Drowart, R. T. Grimley, J. Chem. Phys. 1960, 32, 1363.
A. Aljarb, Z. Cao, H.-L. Tang, J.-K. Huang, M. Li, W. Hu, L. Cavallo, L.-J. Li, ACS Nano 2017, 11, 9215.
T. Weber, J. C. Muijsers, J. H. M. C. van Wolput, C. P. J. Verhagen, J. W. Niemantsverdriet, J. Phys. Chem. 1996, 100, 14144.
Y. Feldman, E. Wasserman, D. J. Srolovitz, R. Tenne, Science 1995, 267, 222.
V. Senthilkumar, L. C. Tam, Y. S. Kim, Y. Sim, M.-J. Seong, J. I. Jang, Nano Res. 2014, 7, 1759.
R. Coehoorn, C. Haas, J. Dijkstra, C. J. F. Flipse, R. A. de Groot, A. Wold, Phys. Rev. B 1987, 35, 6195.
R. Coehoorn, C. Haas, R. A. de Groot, Phys. Rev. B 1987, 35, 6203.
J. F. Moulder, W. F. Stickle, P. E. Sobol, K. D. Bomben, Handbook of X-Ray Photoelectron Spectroscopy, Perkin-Elmer, Eden Prairie, Minnesota, USA 1993.
H. Nili, A. E. Kandjani, J. D. Plessis, V. Bansal, K. Kalantar-zadeh, S. Sriram, M. Bhaskaran, CrystEngComm 2013, 15, 7222.
D. Ganta, S. Sinha, R. T. Haasch, Surf. Sci. Spectra 2014, 21, 19.
I. S. Kim, V. K. Sangwan, D. Jariwala, J. D. Wood, S. Park, K.-S. Chen, F. Shi, F. Ruiz-Zepeda, A. Ponce, M. Jose-Yacaman, V. P. Dravid, T. J. Marks, M. C. Hersam, L. J. Lauhon, ACS Nano 2014, 8, 10551.
J. Q. Zhong, H. Y. Mao, R. Wang, J. D. Lin, Y. B. Zhao, J. L. Zhang, D. G. Ma, W. Chen, Org. Electron. 2012, 13, 2793.
J. Tang, Z. Wei, Q. Wang, Y. Wang, B. Han, X. Li, B. Huang, M. Liao, J. Liu, N. Li, Y. Zhao, C. Shen, Y. Guo, X. Bai, P. Gao, W. Yang, L. Chen, K. Wu, R. Yang, D. Shi, G. Zhang, Small 2020, 16, 2004276.
E. L. Mochel, M. E. Nordberg, T. H. Elmer, J. Am. Ceram. Soc. 1966, 49, 585.
L. Jiang, X. Guo, X. Li, L. Li, G. Zhang, Y. Yan, Appl. Surf. Sci. 2013, 265, 889.

Auteurs

Xu Yang (X)

Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, 305-0044, Japan.

Shisheng Li (S)

International Center for Young Scientists (ICYS), National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, 305-0044, Japan.

Naoki Ikeda (N)

Research Network and Facility Services Division, National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, 305-0044, Japan.

Yoshiki Sakuma (Y)

Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, 305-0044, Japan.

Classifications MeSH