Fermi-Level Pinning-Free WSe
2D materials
Fermi-level pinning
Schottky-Mott limit
complementary metal-oxide-semiconductors
van der Waals contacts
Journal
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
ISSN: 1521-4095
Titre abrégé: Adv Mater
Pays: Germany
ID NLM: 9885358
Informations de publication
Date de publication:
May 2022
May 2022
Historique:
revised:
16
03
2022
received:
05
12
2021
pubmed:
21
3
2022
medline:
21
3
2022
entrez:
20
3
2022
Statut:
ppublish
Résumé
Precise control over the polarity of transistors is a key necessity for the construction of complementary metal-oxide-semiconductor circuits. However, the polarity control of 2D transistors remains a challenge because of the lack of a high-work-function electrode that completely eliminates Fermi-level pinning at metal-semiconductor interfaces. Here, a creation of clean van der Waals contacts is demonstrated, wherein a metallic 2D material, chlorine-doped SnSe
Identifiants
pubmed: 35306686
doi: 10.1002/adma.202109899
doi:
Types de publication
Journal Article
Langues
eng
Sous-ensembles de citation
IM
Pagination
e2109899Subventions
Organisme : Korea Institute of Science and Technology
ID : 2E31532
Organisme : National Research Foundation of Korea
ID : 2021M3D1A2046731
Organisme : Institute for Information and Communications Technology Promotion
ID : 2020-0-00841
Informations de copyright
© 2022 The Authors. Advanced Materials published by Wiley-VCH GmbH.
Références
X. Liu, D. Qu, J. Ryu, F. Ahmed, Z. Yang, D. Lee, W. J. Yoo, Adv. Mater. 2016, 28, 2345.
S. Y. Zhang, H. M. Hill, K. Moudgil, C. A. Richter, A. R. Hight Walker, S. Barlow, S. R. Marder, C. A. Hacker, S. J. Pookpanratana, Adv. Mater. 2018, 30, 1802991.
J. Gao, Y. D. Kim, L. Liang, J. C. Idrobo, P. Chow, J. Tan, B. Li, L. Li, B. G. Sumpter, T. Lu, V. Meunier, J. Hone, N. Koratkar, Adv. Mater. 2016, 28, 9735.
F. Giannazzo, G. Fisichella, G. Greco, S. Di Franco, I. Deretzis, A. La Magna, C. Bongiorno, G. Nicotra, C. Spinella, M. Scopelliti, B. Pignataro, S. Agnello, F. Roccaforte, ACS Appl. Mater. Interfaces 2017, 9, 23164.
A. V. Penumatcha, R. B. Salazar, J. Appenzeller, Nat. Commun. 2015, 6, 8948.
P. Wu, D. Reis, X. S. Hu, J. Appenzeller, Nat. Electron. 2021, 4, 45.
D. S. Schulman, A. J. Arnold, S. Das, Chem. Soc. Rev. 2018, 47, 3037.
Y. Liu, J. Guo, E. Zhu, L. Liao, S.-J. Lee, M. Ding, I. Shakir, V. Gambin, Y. Huang, X. Duan, Nature 2018, 557, 696.
J. Jang, Y. Kim, S. S. Chee, H. Kim, D. Whang, G. H. Kim, S. J. Yun, ACS Appl. Mater. Interfaces 2020, 12, 5031.
F. Giannazzo, E. Schilirò, G. Greco, F. Roccaforte, Nanomaterials 2020, 10, 803.
F. Giannazzo, G. Fisichella, A. Piazza, S. Agnello, F. Roccaforte, Phys. Rev. B 2015, 92, 081307.
C. Gong, L. Colombo, R. M. Wallace, K. Cho, Nano Lett. 2014, 14, 1714.
Z. Yang, C. Kim, K. Y. Lee, M. Lee, S. Appalakondaiah, C. H. Ra, K. Watanabe, T. Taniguchi, K. Cho, E. Hwang, J. Hone, W. J. Yoo, Adv. Mater. 2019, 31, 1808231.
L. Kong, X. Zhang, Q. Tao, M. Zhang, W. Dang, Z. Li, L. Feng, L. Liao, X. Duan, Y. Liu, Nat. Commun. 2020, 11, 1866.
H.-J. Chuang, B. Chamlagain, M. Koehler, M. M. Perera, J. Yan, D. Mandrus, D. Tomanek, Z. Zhou, Nano Lett. 2016, 16, 1896.
A. R. Kim, Y. Kim, J. Nam, H. S. Chung, D. J. Kim, J. D. Kwon, S. W. Park, J. Park, S. Y. Choi, B. H. Lee, Nano Lett. 2016, 16, 1890.
M. Mahajan, K. Murali, N. Kawatra, K. Majumdar, Phys. Rev. Appl. 2019, 11, 024031.
K. Murali, M. Dandu, K. Watanabe, T. Taniguchi, K. Majumdar, Adv. Funct. Mater. 2021, 31, 2010513.
R. T. Tung, Appl. Phys. Rev. 2014, 1, 11304.
T. D. Ngo, Z. Yang, M. Lee, F. Ali, I. Moon, D. G. Kim, T. Taniguchi, K. Watanabe, K.-Y. Lee, W. J. Yoo, Adv. Electron. Mater. 2021, 7, 2001212.
Y. Liu, P. Stradins, S. H. Wei, Sci. Adv. 2016, 2, e1600069.
X. Ding, Y. Zhao, H. Xiao, L. Qiao, Appl. Phys. Lett. 2021, 118, 091601.
S. I. Kim, S. Hwang, S. Y. Kim, W.-J. Lee, D. W. Jung, K.-S. Moon, H. J. Park, Y.-J. Cho, Y.-H. Cho, J.-H. Kim, D.-J. Yun, K. H. Lee, I.-t. Han, K. Lee, Y. Sohn, Sci. Rep. 2016, 6, 19733.
S. Lee, Y. T. Lee, S. G. Park, K. H. Lee, S. W. Kim, D. K. Hwang, K. Lee, Adv. Electron. Mater. 2018, 4, 1700563.
K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, M. I. Katsnelson, I. V. Grigorieva, S. V. Dubonos, A. A. Firsov, Nature 2005, 438, 197.
N. H. Nickel, P. Lengsfeld, I. Sieber, Phys. Rev. B 2000, 61, 15558.
B. Chakraborty, A. Bera, D. V. S. Muthu, S. Bhowmick, U. V. Waghmare, A. K. Sood, Phys. Rev. B 2012, 85, 161403.
R. Kappera, D. Voiry, S. E. Yalcin, B. Branch, G. Gupta, A. D. Mohite, M. Chhowalla, Nat. Mater. 2014, 13, 1128.
S. M. Song, J. K. Park, O. J. Sul, B. J. Cho, Nano Lett. 2012, 12, 3887.
H.-Y. Park, W.-S. Jung, D.-H. Kang, J. Jeon, G. Yoo, Y. Park, J. Lee, Y. H. Jang, J. Lee, S. Park, H.-Y. Yu, B. Shin, S. Lee, J.-H. Park, Adv. Mater. 2016, 28, 864.
S. Song, S.-Y. Kim, J. Kwak, Y. Jo, J. H. Kim, J. H. Lee, J.-U. Lee, J. U. Kim, H. D. Yun, Y. Sim, J. Wang, D. H. Lee, S.-H. Seok, T.-i. Kim, H. Cheong, Z. Lee, S.-Y. Kwon, Adv. Sci. 2019, 6, 1801370.
S. Song, Y. Sim, S.-Y. Kim, J. H. Kim, I. Oh, W. Na, D. H. Lee, J. Wang, S. Yan, Y. Liu, J. Kwak, J.-H. Chen, H. Cheong, J.-W. Yoo, Z. Lee, S.-Y. Kwon, Nat. Electron. 2020, 3, 207.
Y. Jung, M. S. Choi, A. Nipane, A. Borah, B. Kim, A. Zangiabadi, T. Taniguchi, K. Watanabe, W. J. Yoo, J. Hone, J. T. Teherani, Nat. Electron. 2019, 2, 187.
Z. Y. Lin, Y. Liu, U. Halim, M. N. Ding, Y. Y. Liu, Y. L. Wang, C. C. Jia, P. Chen, X. D. Duan, C. Wang, F. Song, M. F. Li, C. Z. Wan, Y. Huang, X. F. Duan, Nature 2018, 562, 254.
H. M. W. Khalil, M. F. Khan, J. Eom, H. Noh, ACS Appl. Mater. Interfaces 2015, 7, 23589.
X. Cui, G.-H. Lee, Y. D. Kim, G. Arefe, P. Y. Huang, C.-H. Lee, D. A. Chenet, X. Zhang, L. Wang, F. Ye, F. Pizzocchero, B. S. Jessen, K. Watanabe, T. Taniguchi, D. A. Muller, T. Low, P. Kim, J. Hone, Nat. Nanotechnol. 2015, 10, 534.
Y. Wang, M. Chhowalla, Nat. Rev. Phys. 2021, 3, 791.
C. S. Lee, S. J. Oh, H. Heo, S. Y. Seo, J. Kim, Y. H. Kim, D. Kim, O. F. N. Okello, H. Shin, J. H. Sung, S. Y. Choi, J. S. Kim, J. K. Kim, M. H. Jo, Nano Lett. 2019, 19, 1814.
I. Amit, T. J. Octon, N. J. Townsend, F. Reale, C. D. Wright, C. Mattevi, M. F. Craciun, S. Russo, Adv. Mater. 2017, 29, 1605598.
M. M. Furchi, D. K. Polyushkin, A. Pospischil, T. Mueller, Nano Lett. 2014, 14, 6165.
A. Pezeshki, S. H. H. Shokouh, P. J. Jeon, I. Shackery, J. S. Kim, I.-K. Oh, S. C. Jun, H. Kim, S. Im, ACS Nano 2016, 10, 1118.
B. Sachid, M. Tosun, S. B. Desai, C. Y. Hsu, D. H. Lien, S. R. Madhvapathy, Y. Z. Chen, M. Hettick, J. S. Kang, Y. Zeng, Adv. Mater. 2016, 28, 2547.
J. Li, X. D. Yang, Y. Liu, B. L. Huang, R. X. Wu, Z. W. Zhang, B. Zhao, H. F. Ma, W. Q. Dang, Z. Wei, K. Wang, Z. Y. Lin, X. X. Yan, M. Z. Sun, B. Li, X. Q. Pan, J. Luo, G. Y. Zhang, Y. Liu, Y. Huang, X. D. Duan, X. F. Duan, Nature 2020, 579, 368.
S. LaGasse, P. Dhakras, K. Watanabe, T. Taniguchi, J. Lee, Adv. Mater. 2019, 31, 1901392.