Chemical Vapor Deposition of High-Optical-Quality Large-Area Monolayer Janus Transition Metal Dichalcogenides.
2D materials
Janus transition metal dichalcogenides
exciton-phonon coupling
high optical quality
monolayers
Journal
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
ISSN: 1521-4095
Titre abrégé: Adv Mater
Pays: Germany
ID NLM: 9885358
Informations de publication
Date de publication:
Sep 2022
Sep 2022
Historique:
received:
09
06
2022
pubmed:
31
7
2022
medline:
31
7
2022
entrez:
30
7
2022
Statut:
ppublish
Résumé
One-pot chemical vapor deposition (CVD) growth of large-area Janus SeMoS monolayers is reported, with the asymmetric top (Se) and bottom (S) chalcogen atomic planes with respect to the central transition metal (Mo) atoms. The formation of these 2D semiconductor monolayers takes place upon the thermodynamic-equilibrium-driven exchange of the bottom Se atoms of the initially grown MoSe
Identifiants
pubmed: 35906951
doi: 10.1002/adma.202205226
doi:
Types de publication
Journal Article
Langues
eng
Sous-ensembles de citation
IM
Pagination
e2205226Subventions
Organisme : Deutsche Forschungsgemeinschaft
ID : INST 275/257-1
Organisme : Deutsche Forschungsgemeinschaft
ID : 313713174
Organisme : Deutsche Forschungsgemeinschaft
ID : 398816777
Organisme : Deutsche Forschungsgemeinschaft
ID : TU149/13-1
Organisme : Deutsche Forschungsgemeinschaft
ID : 443361515
Organisme : Deutsche Forschungsgemeinschaft
ID : TU149/9-1
Organisme : Deutsche Forschungsgemeinschaft
ID : 397373225
Organisme : Deutsche Forschungsgemeinschaft
ID : KR4866/8-1
Organisme : Deutsche Forschungsgemeinschaft
ID : 464283495
Organisme : European Union's Horizon 2020
Organisme : MEXT, Japan
ID : JPMXP0112101001
Organisme : JSPS KAKENHI
ID : JP20H00354
Organisme : CREST
ID : JPMJCR15F3
Organisme : Collaborative Research Center "Chemistry of Synthetic 2D Materials"
ID : SFB-1415-417590517
Informations de copyright
© 2022 The Authors. Advanced Materials published by Wiley-VCH GmbH.
Références
I. Paradisanos, S. Shree, A. George, N. Leisgang, C. Robert, K. Watanabe, T. Taniguchi, R. J. Warburton, A. Turchanin, X. Marie, I. C. Gerber, B. Urbaszek, Nat. Commun. 2020, 11, 2391.
J. Kunstmann, F. Mooshammer, P. Nagler, A. Chaves, F. Stein, N. Paradiso, G. Plechinger, C. Strunk, C. Schüller, G. Seifert, D. R. Reichman, T. Korn, Nat. Phys. 2018, 14, 801.
L. M. Xie, Nanoscale 2015, 7, 18392.
A.-Y. Lu, H. Zhu, J. Xiao, C.-P. Chuu, Y. Han, M.-H. Chiu, C.-C. Cheng, C.-W. Yang, K.-H. Wei, Y. Yang, Y. Wang, D. Sokaras, D. Nordlund, P. Yang, D. A. Muller, M.-Y. Chou, X. Zhang, L.-J. Li, Nat. Nanotechnol. 2017, 12, 744.
J. Zhang, S. Jia, I. Kholmanov, L. Dong, D. Er, W. Chen, H. Guo, Z. Jin, V. B. Shenoy, L. Shi, J. Lou, ACS Nano 2017, 11, 8192.
A. C. Riis-Jensen, T. Deilmann, T. Olsen, K. S. Thygesen, ACS Nano 2019, 13, 13354.
A. Manchon, H. C. Koo, J. Nitta, S. M. Frolov, R. A. Duine, Nat. Mater. 2015, 14, 871.
L. Dong, J. Lou, V. B. Shenoy, ACS Nano 2017, 11, 8242.
J. Liu, S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 2018, 120, 207602.
a) C. Xia, W. Xiong, J. Du, T. Wang, Y. Peng, J. Li, Phys. Rev. B 2018, 98, 165424;
b) T. Zheng, Y.-C. Lin, Y. Yu, P. Valencia-Acuna, A. A. Puretzky, R. Torsi, C. Liu, I. N. Ivanov, G. Duscher, D. B. Geohegan, Z. Ni, K. Xiao, H. Zhao, Nano Lett. 2021, 21, 931.
M. Yagmurcukardes, Y. Qin, S. Ozen, M. Sayyad, F. M. Peeters, S. Tongay, H. Sahin, Appl. Phys. Rev. 2020, 7, 011311.
a) Y. Guo, Y. Lin, K. Xie, B. Yuan, J. Zhu, P.-C. Shen, A.-Y. Lu, C. Su, E. Shi, K. Zhang, C. HuangFu, H. Xu, Z. Cai, J.-H. Park, Q. Ji, J. Wang, X. Dai, X. Tian, S. Huang, L. Dou, L. Jiao, J. Li, Y. Yu, J.-C. Idrobo, T. Cao, T. Palacios, J. Kong, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 2021, 118, e2106124118;
b) Y.-C. Lin, C. Liu, Y. Yu, E. Zarkadoula, M. Yoon, A. A. Puretzky, L. Liang, X. Kong, Y. Gu, A. Strasser, H. M. Meyer, M. Lorenz, M. F. Chisholm, I. N. Ivanov, C. M. Rouleau, G. Duscher, K. Xiao, D. B. Geohegan, ACS Nano 2020, 14, 3896.
a) A. George, C. Neumann, D. Kaiser, R. Mupparapu, T. Lehnert, U. Hübner, Z. Tang, A. Winter, U. Kaiser, I. Staude, A. Turchanin, JPhys. Mater. 2019, 2, 016001;
b) E. Najafidehaghani, Z. Gan, A. George, T. Lehnert, G. Q. Ngo, C. Neumann, T. Bucher, I. Staude, D. Kaiser, T. Vogl, U. Hübner, U. Kaiser, F. Eilenberger, A. Turchanin, Adv. Funct. Mater. 2021, 31, 2101086.
J. Berkowitz, J. R. Marquart, J. Chem. Phys. 1963, 39, 275.
Y. Gao, Z. Liu, D.-M. Sun, L. Huang, L.-P. Ma, L.-C. Yin, T. Ma, Z. Zhang, X.-L. Ma, L.-M. Peng, H.-M. Cheng, W. Ren, Nat. Commun. 2015, 6, 8569.
H.-P. Komsa, A. V. Krasheninnikov, J. Phys. Chem. Lett. 2012, 3, 3652.
J. Mann, Q. Ma, P. M. Odenthal, M. Isarraraz, D. Le, E. Preciado, D. Barroso, K. Yamaguchi, G. von Son Palacio, A. Nguyen, T. Tran, M. Wurch, A. Nguyen, V. Klee, S. Bobek, D. Sun, T. F. Heinz, T. S. Rahman, R. Kawakami, L. Bartels, Adv. Mater. 2014, 26, 1399.
M. M. Petrić, M. Kremser, M. Barbone, Y. Qin, Y. Sayyad, Y. Shen, S. Tongay, J. J. Finley, A. R. Botello-Méndez, K. Müller, Phys. Rev. B 2021, 103, 035414.
D. B. Trivedi, G. Turgut, Y. Qin, M. Y. Sayyad, D. Hajra, M. Howell, L. Liu, S. Yang, N. H. Patoary, H. Li, M. M. Petrić, M. Meyer, M. Kremser, M. Barbone, G. Soavi, A. V. Stier, K. Müller, S. Yang, I. S. Esqueda, H. Zhuang, J. J. Finley, S. Tongay, Adv. Mater. 2020, 32, 2006320.
Q. Feng, N. Mao, J. Wu, H. Xu, C. Wang, J. Zhang, L. Xie, ACS Nano 2015, 9, 7450.
S. Mignuzzi, A. J. Pollard, N. Bonini, B. Brennan, I. S. Gilmore, M. A. Pimenta, D. Richards, D. Roy, Phys. Rev. B 2015, 91, 195411.
R. Sant, M. Gay, A. Marty, S. Lisi, R. Harrabi, C. Vergnaud, M. T. Dau, X. Weng, J. Coraux, N. Gauthier, O. Renault, G. Renaud, M. Jamet, npj 2D Mater. Appl. 2020, 4, 41.
a) S. Shree, I. Paradisanos, X. Marie, C. Robert, B. Urbaszek, Nat. Rev. Phys. 2021, 3, 39;
b) A. Delhomme, G. Butseraen, B. Zheng, L. Marty, V. Bouchiat, M. R. Molas, A. Pan, K. Watanabe, T. Taniguchi, A. Ouerghi, J. Renard, C. Faugeras, Appl. Phys. Lett. 2019, 114, 232104.
Y. Qin, M. Sayyad, A. R.-P. Montblanch, M. S. G. Feuer, D. Dey, M. Blei, R. Sailus, D. M. Kara, Y. Shen, S. Yang, A. S. Botana, M. Atature, S. Tongay, Adv. Mater. 2021, 34, 2106222.
a) F. Cadiz, E. Courtade, C. Robert, G. Wang, Y. Shen, H. Cai, T. Taniguchi, K. Watanabe, H. Carrere, D. Lagarde, M. Manca, T. Amand, P. Renucci, S. Tongay, X. Marie, B. Urbaszek, Phys. Rev. X 2017, 7, 021026;
b) M. Selig, G. Berghäuser, A. Raja, P. Nagler, C. Schüller, T. F. Heinz, T. Korn, A. Chernikov, E. Malic, A. Knorr, Nat. Commun. 2016, 7, 13279.
R. Guo, X. Bu, S. Wang, G. Zhao, New J. Phys. 2019, 21, 113040.
D. Xiao, G.-B. Liu, W. Feng, X. Xu, W. Yao, Phys. Rev. Lett. 2012, 108, 196802.
Y. Li, J. Ludwig, T. Low, A. Chernikov, X. Cui, G. Arefe, Y. D. Kim, A. M. van der Zande, A. Rigosi, H. M. Hill, S. H. Kim, J. Hone, Z. Li, D. Smirnov, T. F. Heinz, Rev. Lett. 2014, 113, 266804.
I. Pelant, J. Valenta, Luminescence Spectroscopy of Semiconductors, Oxford University Press, Oxford, UK 2012.
A. Kormányos, G. Burkard, M. Gmitra, J. Fabian, V. Zólyomi, N. D. Drummond, V. Fal'ko, 2D Mater. 2015, 2, 022001.
I. Paradisanos, G. Wang, E. M. Alexeev, A. R. Cadore, X. Marie, A. C. Ferrari, M. M. Glazov, B. Urbaszek, Nat. Commun. 2021, 12, 538.