High throughput processing of dinaphtho[2,3-


Journal

Nanoscale
ISSN: 2040-3372
Titre abrégé: Nanoscale
Pays: England
ID NLM: 101525249

Informations de publication

Date de publication:
22 Dec 2022
Historique:
pubmed: 7 12 2022
medline: 7 12 2022
entrez: 6 12 2022
Statut: epublish

Résumé

The deposition of organic semiconductors (OSCs) using solution shearing deposition techniques is highly appealing for device implementation. However, when using high deposition speeds, it is necessary to use very concentrated OSC solutions. The OSCs based on the family of dinaphtho[2,3-

Identifiants

pubmed: 36472089
doi: 10.1039/d2nr05625a
doi:

Types de publication

Journal Article

Langues

eng

Sous-ensembles de citation

IM

Pagination

230-236

Auteurs

Lamiaa Fijahi (L)

Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC), Campus de la UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, Spain. mmas@icmab.es.

Jinghai Li (J)

Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC), Campus de la UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, Spain. mmas@icmab.es.

Adrián Tamayo (A)

Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC), Campus de la UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, Spain. mmas@icmab.es.

Martina Volpi (M)

Laboratoire de Chimie des Polymères, Faculté des Sciences, Université Libre de Bruxelles (ULB), Boulevard du Triomphe, CP 206/01, 1050 Bruxelles, Belgium.

Guillaume Schweicher (G)

Laboratoire de Chimie des Polymères, Faculté des Sciences, Université Libre de Bruxelles (ULB), Boulevard du Triomphe, CP 206/01, 1050 Bruxelles, Belgium.

Yves H Geerts (YH)

Laboratoire de Chimie des Polymères, Faculté des Sciences, Université Libre de Bruxelles (ULB), Boulevard du Triomphe, CP 206/01, 1050 Bruxelles, Belgium.
International Solvay Institutes for Physics and Chemistry, Université Libre de Bruxelles (ULB), Boulevard du Triomphe, CP 231, 1050 Bruxelles, Belgium.

Marta Mas-Torrent (M)

Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC), Campus de la UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, Spain. mmas@icmab.es.

Classifications MeSH