Low-Temperature ALD of SbO
SbOx/Sb2Te3
atomic layer deposition
interface engineering
nanothermoelectricity
transport property
Journal
Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)
ISSN: 1613-6829
Titre abrégé: Small
Pays: Germany
ID NLM: 101235338
Informations de publication
Date de publication:
25 Oct 2023
25 Oct 2023
Historique:
revised:
22
09
2023
received:
26
07
2023
medline:
26
10
2023
pubmed:
26
10
2023
entrez:
26
10
2023
Statut:
aheadofprint
Résumé
Nanoscale superlattice (SL) structures have proven to be effective in enhancing the thermoelectric (TE) properties of thin films. Herein, the main phase of antimony telluride (Sb
Identifiants
pubmed: 37880880
doi: 10.1002/smll.202306350
doi:
Types de publication
Journal Article
Langues
eng
Sous-ensembles de citation
IM
Pagination
e2306350Subventions
Organisme : Program of Collaborative Research Centers in Germany
ID : 1415
Informations de copyright
© 2023 The Authors. Small published by Wiley-VCH GmbH.
Références
a) L. Deng, Y. Liu, Y. Zhang, S. Wang, P. Gao, Adv. Funct. Mater. 2023, 33, 2210770;
b) Z. H. Zheng, X. L. Shi, D. W. Ao, W. D. Liu, M. Li, L. Z. Kou, Y. X. Chen, F. Li, M. Wei, G. X. Liang, P. Fan, G. Q. Lu, Z. G. Chen, Nat. Sustainability 2022, 6, 180.
a) T.-R. Wei, P. Qiu, K. Zhao, X. Shi, L. Chen, Adv. Mater. 2023, 35, 2110236;
b) D. W. Ao, W. D. Liu, Z. H. Zheng, X. L. Shi, M. Wei, Y. M. Zhong, M. Li, G. X. Liang, P. Fan, Z. G. Chen, Adv. Energy Mater. 2022, 12, 2202731;
c) D.-W. Ao, W.-D. Liu, Y.-X. Chen, M. Wei, B. Jabar, F. Li, X.-L. Shi, Z.-H. Zheng, G.-X. Liang, X.-H. Zhang, P. Fan, Z.-G. Chen, Adv. Sci. (Weinheim, Ger.) 2022, 9, e2103547.
Z.-H. Zheng, D.-L. Zhang, B. Jabar, T.-B. Chen, M. Nisar, Y.-F. Chen, F. Li, S. Chen, G.-X. Liang, X.-H. Zhang, P. Fan, Y.-X. Chen, Mater. Today Phys. 2022, 24, 100659.
a) L. Hu, T. Zhu, X. Liu, X. Zhao, Adv. Funct. Mater. 2014, 24, 5211;
b) J. H. Grebenkemper, S. Klemenz, B. Albert, S. K. Bux, S. M. Kauzlarich, J. Solid State Chem. 2016, 242, 55;
c) J. He, T. M. Tritt, Science 2017, 357, eaak9997.
L. D. Hicks, M. S. Dresselhaus, Phys. Rev. B 1993, 47, 12727.
L. D. Hicks, T. C. Harman, X. Sun, M. S. Dresselhaus, Phys. Rev. B 1996, 53, R10493.
a) A. I. Hochbaum, R. Chen, R. D. Delgado, W. Liang, E. C. Garnett, M. Najarian, A. Majumdar, P. Yang, Nature 2008, 451, 163;
b) J. P. Heremans, V. Jovovic, E. S. Toberer, A. Saramat, K. Kurosaki, A. Charoenphakdee, S. Yamanaka, G. J. Snyder, Science 2008, 321, 554.
D. Van Tuan, M. Yang, H. Dery, Phys. Rev. B 2018, 98, 125308.
G. Chen, 1999.
G. Chen, Phys. Rev. B 1998, 57, 14958.
J. Yang, J. Li, A. Bahrami, N. Nasiri, S. Lehmann, M. O. Cichocka, S. Mukherjee, K. Nielsch, ACS Appl. Mater. Interfaces 2022, 14, 54034.
M. Winkler, Doctoral dissertation, Universität Tübingen, 2015.
N.-W. Park, W.-Y. Lee, Y.-S. Yoon, G.-S. Kim, Y.-G. Yoon, S.-K. Lee, ACS Appl. Mater. Interfaces 2019, 11, 38247.
G. Yang, J. Pan, X. Fu, Z. Hu, Y. Wang, Z. Wu, E. Mu, X.-J. Yan, M.-H. Lu, Nano Convergence 2018, 5, 22.
a) J. Yang, A. Bahrami, X. W. Ding, S. Lehmann, N. Kruse, S. Y. He, B. W. Wang, M. Hantusch, K. Nielsch, Adv. Mater. Interfaces 2022, 9, 2101953;
b) J. Yang, Y. Zhang, Q. Wu, C. Dussarrat, J. Qi, W. Zhu, X. Ding, J. Zhang, IEEE Trans. Electron Devices 2019, 66, 3382;
c) Y. Kim, W. J. Woo, D. Kim, S. Lee, S.-M. Chung, J. Park, H. Kim, Adv. Mater. 2021, 33, 2005907.
N.-W. Park, W.-Y. Lee, Y.-S. Yoon, J.-Y. Ahn, J.-H. Lee, G.-S. Kim, T. G. Kim, C.-J. Choi, J.-S. Park, E. Saitoh, S.-K. Lee, ACS Appl. Mater. Interfaces 2018, 10, 44472.
W.-Y. Lee, N.-W. Park, S.-Y. Kang, G.-S. Kim, J.-H. Koh, E. Saitoh, S.-K. Lee, J. Phys. Chem. C 2019, 123, 14187.
K. Liu, B. Jin, W. Han, X. Chen, P. Gong, L. Huang, Y. Zhao, L. Li, S. Yang, X. Hu, J. Duan, L. Liu, F. Wang, F. Zhuge, T. Zhai, Nat. Electron. 2021, 4, 906.
J. Yang, A. Bahrami, X. W. Ding, P. P. Zhao, S. Y. He, S. Lehmann, M. Laitinen, J. Julin, M. Kivekas, T. Sajavaara, K. Nielsch, Adv. Electron. Mater. 2022, 8, 2101334.
M. Naumochkin, G. H. Park, K. Nielsch, H. Reith, Phys. Status Solidi RRL 2022, 16, 2100533.
a) K. Pal, S. Anand, U. V. Waghmare, J. Mater. Chem. C 2015, 3, 12130;
b) N. V. C. Shekar, D. A. Polvani, J. F. Meng, J. V. Badding, Phys. B 2005, 358, 14.
a) J. Zhang, T. Hu, J. Yan, F. Ke, J. Wang, X. Cui, X. Li, Y. Ma, J. Yang, C. Gao, Mater. Lett. 2017, 209, 78;
b) O. Gomis, R. Vilaplana, F. J. Manjón, P. Rodríguez-Hernández, E. Pérez-González, A. Muñoz, V. Kucek, C. Drasar, Phys. Rev. B 2011, 84, 174305.
J. Yang, A. Bahrami, X. Ding, S. Lehmann, K. Nielsch, Appl. Phys. Lett. 2022, 121, 163504.
T. Thonhauser, G. S. Jeon, G. D. Mahan, J. O. Sofo, Phys. Rev. B 2003, 68, 205207.
Z.-W. Sun, K.-W. Cheng, S.-W. Lin, V. K. Ranganayakulu, Y.-Y. Chen, S.-J. Chiu, T.-W. Lee, A. T. Wu, ACS Appl. Energy Mater. 2022, 5, 7026.
S. Li, W. Zhao, Y. Cheng, L. Chen, M. Xu, K. Guo, F. Pan, ACS Appl. Mater. Interfaces 2022, 15, 1167.
S. Li, Z. Huang, R. Wang, W. Zhao, J. Luo, Y. Xiao, F. Pan, ACS Appl. Mater. Interfaces 2021, 13, 51018.
W. Y. Lee, N. W. Park, S. Y. Kang, M. S. Kang, T. T. T. Bui, J. Seok, G. S. Kim, E. Saitoh, S. K. Lee, J. Alloys Compd. 2020, 815, 152482.
a) C. Zhang, H. Ng, Z. Li, K. A. Khor, Q. Xiong, ACS Appl. Mater. Interfaces 2017, 9, 12501;
b) H. Yang, J.-H. Bahk, T. Day, A. M. S. Mohammed, G. J. Snyder, A. Shakouri, Y. Wu, Nano Lett. 2015, 15, 1349.
S. Shimizu, M. S. Bahramy, T. Iizuka, S. Ono, K. Miwa, Y. Tokura, Y. Iwasa, Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A. 2016, 113, 6438.
D. A. Broido, T. L. Reinecke, Phys. Rev. B 2001, 64, 045324.
H. Zhang, X. Zhang, C. Liu, S. T. Lee, J. Jie, ACS Nano 2016, 10, 5113.
Z. Sui, S. Hu, H. Chen, C. Gao, H. Su, A. Rahman, R. Dai, Z. Wang, X. Zheng, Z. Zhang, J. Mater. Chem. C 2017, 5, 5451.
Z. H. Wu, X. Chen, E. Z. Mu, Y. Liu, Z. X. Che, C. C. Dun, F. Y. Sun, X. W. Wang, Y. L. Zhang, Z. Y. Hu, Adv. Electron. Mater. 2020, 6, 1900735.
Y. Wu, Z. Chen, P. Nan, F. Xiong, S. Lin, X. Zhang, Y. Chen, L. Chen, B. Ge, Y. Pei, Joule 2019, 3, 1276.
M. Jonson, G. D. Mahan, Phys. Rev. B 1980, 21, 4223.
Z. Gao, X. Ning, J. Wang, J. Wang, S. Wang, Small 2022, 18, e2104916.
a) H. Naithani, T. Dasgupta, ACS Appl. Energy Mater. 2019, 3, 2200;
b) J. B. Zhu, X. M. Zhang, M. C. Guo, J. Y. Li, J. S. Hu, S. T. Cai, W. Cai, Y. S. Zhang, J. H. Sui, npj Comput. Mater. 2021, 7, 116.
Y. Huang, S. Zhi, S. Zhang, W. Yao, W. Ao, C. Zhang, F. Liu, J. Li, L. Hu, Materials 2022, 15, 6798.
V. Linseis, F. Völklein, H. Reith, K. Nielsch, P. Woias, Rev. Sci. Instrum. 2018, 89, 015110.